記憶體是電腦的「資料倉庫」，負責儲存指令、運算結果及各種運算所需的資訊。現有的記憶體分成兩大類：一種是速度快但斷電就消失的揮發性記憶體（如DRAM、SRAM）；另種則是能長期保存資料，但速度較慢的非揮發性記憶體（如Flash）。科學界多年來嘗試開發新型記憶體，例如 PCM、STT-MRAM、FeRAM 等，但始終難以兼顧「超高速切換」與「長期穩定性」。

陽明交大材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，在國科會補助下，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。若後續順利讓此高速低功耗記憶體商用化，未來將有助於大型語言模型（LLMs）與人工智慧運算、行動裝置（延長電池續航並提升資料安全性）及車用電子與資料中心（高可靠度與低能耗）。

此次研究團隊透過創新的材料膜層設計，大幅提升了鎢(W)材料的相穩定性，即使在高溫先進製程下，依然能保持卓越的自旋軌道力矩效應。這項突破首次展示：(1)64 kb SOT-MRAM 陣列整合 CMOS 控制電路；(2)超高速切換（1 ns）；(3)長期資料穩定性（>10 年）；(4)低功耗特性。

這也代表了SOT-MRAM已更接近商用化，可望成為下一代高速、低功耗、非揮發性記憶體。未來，將可廣泛應用於人工智慧與大型語言模型運算，以提升資料處理效率；行動裝置，以延長電池續航跟強化資料安全；車用電子與資料中心，以兼顧可靠度與節能效益。

該成果已發表在《Nature Electronics》期刊上，展現出臺灣在新世代記憶體技術領域的創新實力，不僅象徵臺灣在前瞻半導體與新型記憶體技術上的領先地位，也為全球高速運算與低功耗應用開啟全新契機。【記者  鄭昱庭整理報導】