國立成功大學「晶體研究中心」今（26）日上午在成大南科台達大樓舉行開幕典禮。成大晶體研究中心是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構。未來該中心將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升台灣在全球市場的競爭力。

揭牌儀式後，現場進行最新的Si與氧化鎵晶體技術展示。同日下午，邀集半導體、光學、醫療及雷射產業的頂尖專家齊聚一堂，共同探討高溫晶體技術的未來發展，盼透過與業界的深度交流，加速技術落地應用，為台灣晶體技術研發，開啟全新篇章。

成大晶體研究中心長期獲國科會與教育部高教深耕計畫支持，已突破高溫SiC晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的SiC晶體，為台灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料。這項技術將大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用的效能，助台灣產業搶占全球市場先機。

同時，該中心亦在氧化鎵領域取得重大進展，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件的重要材料。透過特殊設計的熔融法生長技術，中心團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將與產業界合作，加速商業化應用助攻台灣關鍵產業升級。【記者  鄭昱庭整理報導】