工研院與美國加州大學洛杉磯分校（University of California, Los Angeles；UCLA）將共同開發下一代的磁性記憶體，期許以工研院的技術基礎結合洛杉磯分校創新概念，將材料元件應用在記憶體晶片內進行運算儲存，樹立創新記憶體新里程碑。

5G、AI人工智慧已是驅動半導體產業成長趨勢，隨著晶片體積愈來愈小，擁有高速度、高效能的磁性記憶體（Magnetic Random Access Memory；MRAM）技術已成為主流。在美國國防高等研究計畫署（Defense Advanced Research Projects Agency；DARPA）支持下，工研院與美國加州大學洛杉磯分校宣布簽署VC-MRAM合作開發計畫，未來將共同開發下一代的磁性記憶體，將材料元件應用在記憶體晶片內進行運算儲存，未來可望減少近百倍能耗，提升逾十倍速度。

工研院投入下世代「自旋霍爾式磁性記憶體」（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）技術，研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體技術，並於2019年在全球指標性IEEE國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting MRAM Poster Session；IEDM Poster）中發表，其技術成果已逐步產業落地，為臺廠進入新世代記憶體鋪下康莊大道。

如今，頂尖學術機構UCLA與工研院合作開發「電壓控制式磁性記憶體」（Voltage Control Magnetic RAM；VC-MRAM）。與「自旋霍爾式磁性記憶體」相比，「電壓控制式磁性記憶體」具有更快寫入速度（縮短50%）、讀寫能耗更低（減少75%）的特性，非常適合AIoT及汽車晶片的應用需求。

工研院電光系統所所長吳志毅指出，由於MRAM擁有與靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory；SRAM）的寫入、讀取速度，還兼具節能可靠的特色，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。【記者  鄭昱庭整理報導】