第三代半導體材料「碳化矽」（SiC）晶體已被視為重要戰略物資，是發展電動車、6G通訊、國防、航太、綠能的關鍵要素。雖然碳化矽在高電壓和高功率的表現優異，且散熱性佳，但製作困難，晶體生長的技術門檻高，需大量時間及經驗，台灣目前投入生產的企業發表的生長速度約在150-200um／hr之間，晶體穩定性與良率仍有待提升。

中山大學材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出，晶體研究中心已成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr，「晶體生長速度更快且具重複性」，國內尚無其他研究單位或大學能做得到，標示著第三類半導體碳化矽向前推進的進程。

周明奇表示，包括生長晶體的長晶爐、存放材料的容器坩堝、熱場設計、生長參數及晶體缺陷檢驗等，所有關鍵技術與設備設計、組裝全部MIT，不倚賴國外廠商，上下游一條龍自主培養合作廠商生態鏈，從學術研發鏈結到產業製造，更能撙節研發生產成本。

去年研究團隊導入6吋導電型（n-type）4H碳化矽長晶爐，已成功生長出6吋單晶。周明奇強調，為了從實驗室邁向工業化，團隊不斷調整生長參數、檢驗晶體品質，今年2月，確認生長的6吋導電型4H碳化矽SiC單晶生長速度更快、穩定性佳且具重複性，確保未來技轉廠商的市場競爭力與獲利優勢。

目前4 吋、6 吋矽晶圓為市場主流尺寸，並逐漸朝向8吋轉進。展望未來，周明奇指出，團隊已投入8吋導電型（n-type）4H碳化矽生長設備研發設計，今年將持續推進碳化矽晶體生長核心技術，也正打造高真空環境，研發生長半絕緣碳化矽（Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC），持續為我國取得材料、製程、設備三大關鍵環節的自主能力。【記者  鄭昱庭整理報導】